剩余的p轨道进行互相叠加，通过pπ-pπ相互作用形成多重键。
在σ键以及pπ-pπ相互作用形成多重键的作用下，形成碳银杂化轨道离子会与其他未参与作用的碳原子牢牢结合，稳定石墨烯单晶晶圆，为石墨烯单晶晶圆提供一定性能的耐热能力，以及加强石墨烯单晶材料的导电性能。
这就是银离子注入后的基本用途。
至于硅离子的用途，那就更简单了。
如果说银离子的注入，一部分作用可以理解为将高速公路修的更宽敞更平稳，让电子在上面奔跑更加安全的话；那么硅离子的注入，就是给这条高速公路修了收费站。
它控制着电子这辆车该去哪里，不该去哪里。
别忘记了石墨烯单晶材料虽然优秀，但它本身是有一个致命缺点的。
那就是石墨烯的带隙问题。
这个问题对于碳基芯片来说可是超级致命级别的缺点。
就好像全国的高速公路没有出入口，没有收费站一样，所有的汽车（电子）会在上面到处乱串。
高纯度的碳化硅晶材本身就是一种性能相当优异的半导体材料。
而硅离子注入到石墨烯单晶材料中后，会与里面的碳原子形成稳定的碳化硅结构。
和掺杂银离子一样，通过特殊手段，碳原子可以利用它的s轨道和p轨道通过杂化作用和硅离子形成σ键，也能在pπ-pπ相互作用形成多重键，起到稳定石墨烯单晶晶圆的作用。
除此之外，硅离子因为本身电子的特性，它除了碳原子具备的s轨道和p轨道外，还多出来一个d轨道。
被离子注入进石墨烯材料中的硅离子中的d轨道会参与成键，除了形成对应的sp3d和sp3d2等额外的杂化轨道外，还会增强pπ-pπ相互作用形成多重键的稳定性。
这样一来，经过了银离子和硅离子两次掺杂的石墨烯单晶晶圆会在稳定上再上一层楼。
最终制造出来的碳基芯片不仅能耐高温，而且即便是遭受到了强电流的冲击也不会轻易损坏。
避免了意外或者黑客的破坏，其性能比起硅基芯片更强悍
韩元的讲解，让直播间里面的观众明白了碳基芯片在制造流程上与硅基芯片的差别。
也让各国的专家将目光再一次聚集到‘轨道杂化理论’上来。
这一个即基础又高深的化学理论知识受到了所有国家的关注。
从这名主播的讲解中可以知道，‘轨道杂化理论’远不止它现在表现出来的那么简单。
尽管时至今日，轨道杂化理论仅被用来描述几何形状或环境。
但后续如果发展的话，它除了可以用来解释原子轨道的杂化外，