其实紫光集团的存储芯片用在高端手机上，完全没有问题。
只不过消费者天然的觉得国产芯片不好，这也导致众多手机厂商，他们不爱在高端机型上使用国产储存芯片。
现在清瓷科技就要纠正这种情况，通过软硬件的调试，让他们可以更好地发挥出紫光集团的储存芯片性能。
趁着发售智能设备，消费者无法选择的机会。推广国产的紫光储存芯片。
就像以前联发科的芯片，他们被所有手机厂商用在低端机。消费者就以为所有使用联发科芯片的都是低端机。
众多厂商的代表，听到苏小碗这么说，他们立刻热烈地鼓起掌声。
毕竟谁也不愿意受到三星的钳制。
苏小婉打开虚拟光幕，上面展示着一个橙色的芯片。
她微笑的看着大家说道：“我们公司现在已经研制成功，高端的储存芯片。
等我们集团微电子公司工厂正式建立后，它不止会生产高效的智能芯片，还会生产这种半导体储存芯片。
有这种芯片的存在，你们完全不需要担心以后高端智能设备所用的元器件。
只要大家坚持下去，挺过这次危机。以后的前途会非常光明。”
苏小婉说完，虚拟光幕上开始播放这个半导体储存芯片的性能。
这种半导体储存芯片采用pcm相变内存，性能是普通存储芯片的100万倍。
它由研发科技材料与化学实验室研发，它是一种新的二维非易失性存储芯片。
科研人员们采用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。
他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰。
所以郭建濯带领的科研团队使用的是半浮栅极晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。
具体来说，与dram内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而nand闪存的延迟一般在毫秒级，性能远远超出。
它与传统二维材料相比，其速度快了100万倍。所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。
这是在储存芯片领域极大的进步，特别是这种采用新技术的半导体储存芯片使用他们公司生产的光刻机，加工技术一点也不难。
现在已经达到良品率非常高的程度，完整的芯片使用寿命