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第三百八十四章 MOCVD(2 / 3)

化合物和氢化物,合称为实验室所需的GaN宽禁带半导体。

这是一台生长宽禁带半导体的仪器。

顾律在国外见过这种设备。

不过国内和国外的MOCVD系统是有些区别的。

因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性,所以国内和国外MOCVD系统的主要区别在于反应室结构。

在国外,反应室结构大多采用‘TurboDisc反应’,而国内则是采用‘行星反应’。

两者各有其优劣,说不上谁更好。

但呈现在顾律面前的这台MOCVD,虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构,但在设备的其他组成系统上,应该进行了深层次的优化。

顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼,就得出一个这样的结论。

“张主任,你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧,根据我的推测,这台MOCVD不止最多可以同时生长两片1.5英寸的GaN宽禁带半导体?”顾律说出自己的猜测。

张主任竖起大拇指。

“你说的没错。”张主任拍拍设备,语气略带得意的开口,“这台设备买回来后,我就让隔壁机械学院的几位朋友改装了一下。”

“你看着,在这块源供给系统部分,我们加了一个恒温器,可以保证金属化合物一个衡定的蒸气压。”张主任指着仪器前端的加装上去的一个恒温器为顾律介绍。

“还有这。”张主任把顾律领到MOCVD的背面,“这块是气体运输系统,原本这里是只有一条管道的。”

“但是我们又增加了一条,这样的话,可以迅速变化反应室内的反应气体,并且还不会引起反应室内压力的变化!”

张主任为顾律详细的介绍了这台设备的改装情况。

除了反应室系统仍旧选择行星反应之外,其余的几个部分的系统皆进行了一定程度的改装优化。

“那……”

顾律问出了自己最关心的问题,“那现在,这台设备最大的产量是多少?”

张主任竖起三根手指,“最多可以同时生产三根两英寸的GaN宽禁带半导体!”

“嘶——!”

顾律倒吸一口冷气。

这产量……

据顾律所知,国外Veeco公司斥巨资新研发的一种型号的MOCVD,也就比这个产量稍微高点。

正在顾律啧啧惊叹的功夫,这台设备刚好结束了一轮的工作。

一旁的研究员助理就要过来取走成品。

张主任摆摆手,戴上白手套,表示要亲自将这次的成品取出。

忙活一阵后,张主任将两条

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