顾律介绍这台设备的具体改装细节。
顾律边认真听边频频点头。
这些知识，是他之前很少接触过的。
他只知道这些设备的原型机内部是什么构造，运行机理是什么。
但面对这种改装后的设备，就双眼一抹黑了。
就在张主任在这边和顾律聊天的时候，一位研究员拿着一个文件夹脚步匆匆的向张主任走过来。
“张主任。”
研究员戴着圆框眼镜，地中海发型，由于戴着口罩，顾律判断不出具体的年纪。
但听声音，应该是三十多岁。
“哦，是方教授啊！”张主任视线落在那位研究员身上，笑呵呵的为顾律介绍道，“这位是我们半导体的研究中心的方庆教授，主要负责半导体掺杂调控这一部分的研究内容。”
“方教授，给你介绍一下，这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”
“你好你好！”
“久仰久仰！”
两人简单的握了个手。
“方教授，你过来找我有什么事吗？”张主任笑呵呵的开口问道。
“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”
张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗？”
方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，C杂质在GaN中的晶格位置。”
“唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”
顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”
张主任没有隐瞒。
“准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”
张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。
在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。
通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。
但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。
所以说，确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。
燕大的半导体研究中心作为GaN宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。
但结果…